10月17日消息，今夏三星电子发布了一段视频，介绍了他们对于MicroLED的规划，并向用户展示了MicroLED的开发过程及其背后的工艺。

同时，可去器件还展现出高的可重复性，器件的性能提高了约40%。图4  通过OIHL策略引入无机ZnBr2前后的QD薄膜的电学性能(a-c) 单电子、处人程避单空穴和QLED器件的示意图。

瞬态吸收（TA）测试进一步研究QD的载流子和激子之间的相互作用，防工放如图3e所示，防工放钝化QDs的漂白强度远大于QDs，说明激子更容易过渡到价带，不易被表面缺陷捕获。该策略能够有效减少QD的表面缺陷位点，暑纳抑制非辐射复合，保证高效发光特性。为了分析钝化前后QDs表面的配体变化，凉佛对QDs进行表面Pb 4fXPS（图1f）和高分辨XPS（图1e）光谱分析，高分辨XPS谱揭示了钝化后Zn元素的出现。

慧山会开(e)在相同条件下测量的TA对比谱图。图3  通过OIHL策略引入无机ZnBr2前后QD的辐射复合 (a)左侧是在紫外灯下的QD薄膜照片，人防右侧是相应的PL光谱。

工程钝化后PL寿命的增加揭示了QD发光层中非辐射复合的减少。

相较于钙钛矿红光QDs，向社绿光QDs的带隙更大，无疑加大了载流子输运过程中的能量势垒，这样，就要求其自身具有更高的电输运性能。张阔在蹦床项目上不断突破、今夏勇于追求，被公认为实力与天分兼备的体育健将。

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